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[发明专利]一种多层阻变存储器的形成方法-CN202111566706.0在审
发明人：左青云;卢意飞 -专利权人：上海微阱电子科技有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层阻变存储器的形成方法，该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底内形成有下电极，在半导体衬底上淀积第一氧含量的氧化物，形成位于半导体衬底上的第一阻变层；在第一阻变层上淀积第二氧含量的氧化物，形成位于第一阻变层上的第二阻变层，第二氧含量大于第一氧含量；在第二阻变层上淀积第一氧含量的氧化物，形成位于第二阻变层上的第三阻变层；对第三阻变层进行氧化处理，使得第三阻变层转换为第四阻变层，在第四阻变层上形成上电极；图形化上电极、第一阻变层、第二阻变层和第四阻变层，形成存储器。该方法可以提升淀积的阻变层材料的氧化物的可控性及可控制备，有利于提升阻变存储器特性。
一种多层存储器形成方法

[发明专利]阻变存储器件-CN202010130112.4有效
发明人：刘力锋;王泽昊;马跃驰;于傲;丁向向;冯玉林;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种阻变存储器件，包括依次层叠设置的第一电极层、绝缘介质层、阻变层、氧存储层和第二电极层，其中，所述阻变层包括多个子阻变层。本发明实施例提供的阻变存储器件，通过设置具有多个子阻变层的阻变层，在多个相互贴合的子阻变层之间形成局部导电细丝，能够提供均匀可靠的高低阻态，使得阻变存储器件拥有良好的均匀性和可靠性。
存储器件

[发明专利]一种半导体结构以及制备方法、阻变存储器以及阻变存储器阵列-CN202111165393.8在审
发明人：尹楚君;田飔莹;陈峰岭;李超波 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构以及制备方法、阻变存储器以及阻变存储器阵列，涉及纳米器件技术领域，用于提供一种具有更薄阻变层的半导体结构。半导体结构，包括：基底、阻变层以及电极结构。所述阻变层形成在所述基底上，所述电极结构形成在所述阻变层上，或，所述电极结构中的部分形成在所述基底与阻变层之间，部分形成在所述阻变层上。其中，所述阻变层包括氧化层，所述阻变层的厚度小于或等于目标数值。
一种半导体结构以及制备方法存储器阵列

[发明专利]开关忆阻器及其制备方法-CN202210208347.X在审
发明人：李黄龙;王昕鑫 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种开关忆阻器，包括底电极层；第一阻变层，设在所述底电极层上；第二阻变层，设在所述第一阻变层上；顶电极层，设在所述第二阻变层上；其中，在所述开关忆阻器处于低阻态的情况下，所述第一阻变层和所述第二阻变层中的空位缺陷在预设激励的作用下定向移动，使所述第一阻变层和所述第二阻变层中的一个的所述空位缺陷耗尽，所述第一阻变层和所述第二阻变层中的另一个为低阻态。本申请提供的忆阻器具有不应期的特点，可以模拟生物神经元的不应期，并适用于如脉冲时间编码方法的其他领域。
开关忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种忆阻器及其制备方法-CN202110553812.9在审
发明人：李祎;黄晓弟;付瑶瑶;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种忆阻器及其制备方法，由上至下包括：上电极、第一空位浓度阻变层、第二空位浓度阻变层以及下电极；第一空位浓度阻变层的空位浓度为固定浓度值或者浓度从高至低梯度变化；第二空位浓度阻变层的空位浓度为固定浓度值或者浓度从高至低梯度变化；第一空位浓度阻变层和第二空位浓度阻变层的阻变材料相同；第一空位浓度阻变层的固定浓度值或最低空位浓度值大于第二空位浓度阻变层的固定浓度值或最高空位浓度值。本发明通过梯度调制阻变材料，多层复合阻变材料由高空位浓度层到低空位浓度层，保证外部施加电场分布局域化。
一种忆阻器及其制备方法

[实用新型]一种基于过渡金属硫族化合物堆垛式忆阻器-CN202222138543.2有效
发明人：王娟娟 -专利权人：吕梁学院
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于过渡金属硫族化合物堆垛式忆阻器，包括衬底层，所述衬底层的顶部设有底电极层，所述底电极层的顶部设有主要层，所述主要层的顶部设有顶电极层，所述顶电极层的顶部设有保护层，所述主要层包括第一阻变层，所述第一阻变层的顶部设有第二阻变层，所述第二阻变层的顶部设有第三阻变层，所述第一阻变层、第二阻变层、第三阻变层相邻之间均设有氧化层，所述第一阻变层与底电极层固定连接，所述第三阻变层与顶电极层固定连接。本实用新型设置过渡金属硫族化合物的堆垛结构，使忆阻器的性能得到提升，解决目前忆阻器稳定性、耐受性降低的问题。
一种基于过渡金属化合物堆垛式忆阻器

[发明专利]一种多值阻变存储器及其制备方法-CN201210564552.6无效
发明人：黄如;陈诚;蔡一茂;张耀凯 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种多值阻变存储器及其制备方法。一种多值阻变存储器，包括位于衬底上的下电极，位于所述下电极上的中间层，以及位于所述中间层上的上电极，其中，所述中间层包括至少两层阻变层，相邻两阻变层之间通过中间电极层隔离，所述至少两层阻变层可在外加电压作用下依次由低阻态转变为高阻态本发明实施例中的多值RRAM通过设置多层阻变层，并使这多层阻变层在外加电压作用下可以依次由低阻态转变为高阻态，实现了该RRAM的多阻值存储，而且，由于各阻变层在不同的阻态之间的转变比较好控制，某一阻变层由低阻态转变为高阻态时也不会影响其他阻变层的阻态
一种多值阻变存储器及其制备方法

[发明专利]阻变式存储器以及阻变式存储器的制造方法-CN202010150656.7在审
发明人：康赐俊;沈鼎瀛;刘宇;邱泰玮;王丹云 -专利权人：厦门半导体工业技术研发有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变式存储器以及阻变式存储器的制造方法，其中，阻变式存储器包括顶电极、底电极层和阻变层，所述阻变层夹设在所述顶电极和底电极层之间，所述阻变层为金属氧化物层或固态电解质层，所述底电极层包括底电极本体和介电层，所述底电极本体呈锥形，所述锥形的尖端朝向所述阻变层并位于设定位置处，所述介电层包覆所述底电极本体以支撑所述阻变层。本发明可提高阻变式存储器的使用效果。
阻变式存储器以及制造方法

[发明专利]阻变存储器及其制造方法-CN201110068633.2无效
发明人：刘明;张康玮;龙世兵;谢常青;刘琦;吕杭炳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制造方法，所述存储器包括：下电极；下电极之上的第一阻变功能层，以及第一阻变功能层之上的第二阻变功能层，所述第一阻变功能层和第二阻变功能层具有相反的多数载流子类型；第二阻变功能层之上的上电极通过具有相反多数载流子类型的第一阻变功能层和第二阻变功能层，在存储器的阻变功能层内形成pn结，由于不用外接整流的二极管或三极管，便可实现阻变和抑制串扰，不会增加存储单元的面积，从而有效提高存储密度，进而提高器件的集成度
存储器及其制造方法

[发明专利]阻变存储器及其制备方法-CN201911046450.3在审
发明人：邹荣;陈昊瑜;王奇伟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种阻变存储器的制备方法，包括提供一衬底；在所述衬底上形成下电极；在所述下电极以及所述衬底的上表面形成第一阻变材料层；在所述第一阻变材料层的上方形成第二阻变材料层，且所述第二阻变材料层的阻态不同于所述第一阻变材料层的阻态；在所述第二阻变材料层的上方形成上电极。即本发明通过在所述第一阻变材料层和上电极之间增加第二阻变材料层，实现阻变存储器的多种阻态(>2)下的转变，从而实现多值存储，可在存储芯片面积不变的前提下，增大数据存储量。
阻变材料层衬底阻态阻变存储器下电极电极数据存储量存储芯片多值存储上表面制备

[发明专利]一种半导体集成电路器件及其制造方法-CN202111503891.9在审
发明人：张雅君;沈鼎瀛;单利军;邱泰玮;刘宇;康赐俊 -专利权人：厦门半导体工业技术研发有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法，该半导体集成电路器件所采取的结构为第一电极在阻变层的侧壁和阻变层连接，并通过第二电极从阻变层内侧接出。从而在施加电压后会在阻变层的侧壁形成导电细丝。如此，可以通过减小第一电极的高度减小阻变发生区域，这使得在电操作过程中电场更加集中的施加在阻变层上，从而改善器件的均一性。此外，由于阻变区域位于阻变层的侧壁，是沉积形成的，未经过刻蚀，也不存在因为刻蚀而产生的损伤；同时，阻变区域位于阻变层的侧壁也可避免因为通孔凹陷导致的阻变层不平坦的问题，因此可以使得阻变层的性能更好，使用寿命更长
一种半导体集成电路器件及其制造方法

[发明专利]基于SiO_x:Ag/TaO_x双阻变层的忆阻突触器件及方法-CN201910795647.0在审
发明人：李伟;刘诚;赵昕;袁余涵;陈鹏宇;李东阳;蒋向东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于SiO_x:Ag/TaO_x双阻变层的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极。
阻变层制备突触磁控溅射下电极电极单晶抛光硅片磁控共溅射采用直流从上至下单晶硅片干燥处理金属离子依次设置阻挡层清洗

[发明专利]基于SiO_x:Ag/AlO_x双阻变层的忆阻突触器件及方法-CN201910799379.X在审
发明人：李伟;田伟;赵昕;刘诚;袁余涵;李东阳;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于SiO_x:Ag/AlO_x双阻变层的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极。
阻变层制备突触磁控溅射电极下电极单晶抛光硅片磁控共溅射采用直流从上至下单晶硅片干燥处理金属离子依次设置阻挡层清洗

[发明专利]基于SiOx:Ag/TiOx双阻变层的忆阻突触器件及方法-CN201910796689.6在审
发明人：李伟;袁余涵;赵昕;刘诚;田伟;李东阳;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于SiO_x:Ag/TiO_x双阻变层的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极。
阻变层制备突触磁控溅射电极下电极单晶抛光硅片磁控共溅射采用直流从上至下单晶硅片干燥处理金属离子依次设置阻挡层清洗

[发明专利]低温非易失性存储器-CN202010901106.4在审
发明人：郝镇齐;高滨;吴华强;唐建石;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温非易失性存储器，该存储器包括上电极、阻变层和下电极，其中，阻变层为双层结构，阻变层的上层为导电绝热材料，与上电极连接，阻变层的下层为阻变材料，与下电极连接，当进行写入SET和重置RESET时，外电场电流产生的焦耳热将阻变层中的局部温度升高，导电绝热材料将部分热量保存在阻变层内，使阻变层保持阻变特征。该存储器利用阻变效应，针对低温应用场景进行器件结构与材料性质上的优化，实现了低温下的非易失性存储。
低温非易失性存储器

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